Silicio nitrido kaitinimo elementas yra svarbi aukštos temperatūros struktūrinės keramikos rūšis. Jis pasižymi mažu šiluminio plėtimosi koeficientu, dideliu kietumu, dideliu elastingumo moduliu, šiluminės temperatūros charakteristikomis, cheminiu stabilumu ir geromis briaunų savybėmis. Be to, jis yra atsparus oksidacijai ir korozijai. Dėl pranašumų jis turi taikymo perspektyvų. Grynas silicio nitridas kambario temperatūroje nesugeria mikrobangų energijos. Tai beveik skaidri mikrobangų krosnelėje medžiaga ir šildymui priklauso nuo savo dielektrinių nuostolių. Suaktyvinimo raktas yra tai, kaip skatinti mėginį vienodai įkaisti iki sukepinimo temperatūros. Silicio nitrido keramikos dielektriniai nuostoliai yra ne tik labai maži, bet ir labai nesikeičia esant temperatūrai, o jos šilumos laidumas nėra geras. Šildymo metu mėginio įtrūkimai ir lankai ar vietinis perkaitimas greičiausiai neįvyks.
Kaip žaliavas naudokite labai grynus α-Si3N4 miltelius, Al2O3, Y2O3 kaip sukepinimo pagalbines medžiagas, įpilkite 1 kiekį, sumaišę naudokite alkoholį, rutulinį malūną su Al2O3 rutuliu 24 valandas, išdžiovinkite ir išsklaidykite, iš anksto paspauskite miltelius 30 MPa slėgiu ir tada naudokite 200MPa Paspauskite izostatiškai, kad susidarytumėte 24 × 12 (mm) dydžio mėginį. Naudokite 2,45 GHz, 6 kW mikrobangų krosnelę, kaitinimo greitis 25 ℃/min; Įprastas sukepinimas naudoja grafito krosnies be slėgio sukepinimą, degimo sistema yra tokia pati kaip mikrobangų sukepinimas ir visi jie kūrenami azoto atmosferoje.
Kadangi γ-Si3N4 nuostoliai mikrobangų krosnelėse yra labai maži esant žemai temperatūrai, SiC reikia kaip kaitinimo elemento, kuris sugeria mikrobangas žemoje temperatūroje. Kai mėginio temperatūra viršija kritinę 1390 ° C temperatūrą, jis sugeria mikrobangas ir generuoja šilumą. Rezultatai rodo, kad mikrobangos greičiu ir tankiu gali paversti α-Si3N4 α fazę į β fazę. Palyginus mikrobangų krosnelės ir įprastų sukepinimo mėginių skenavimo elektronines mikrografijas esant 1750 ° C temperatūrai pagal tą pačią formulę ir tą pačią sukepinimo sistemą, mikrobangų krosnelės medžiagos matricoje yra didesnių pailgų dalelių, taip pat Be to, įprastame sukepintame mėginyje nėra į adatą panašaus β-Si3N4 mėginio, net jei jis mikrobangų krosnelės metu laikomas 1725 ° C temperatūroje, o įprastas sukepinimas 1800 ° C temperatūroje negali gauti tokio didelio skaičiaus į adatą panašių β-Si3N4 mėginių.
